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《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(8)》 2007年
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C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错能的影响

陈科  金学军  
【摘要】:通过 X 射线实验测出 Fe-Mn-Si-N-C 形状记忆合金中的层错几率,并讨论了 N、C 元素的添加对层错几率和层错能的影响.通过电子衍射斑点位移的方法测得 Fe-29.9Mn-6.0Si 形状记忆合金局部区域的层错几率, 发现比 X 射线衍射测得的层错几率大两个数量级,分析差异来自于电子衍射测量的是局部的高密度层错区域.

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