不同剂量和退火条件下Mn~+注入p-GaN薄膜的电、磁特性研究
【摘要】：对在蓝宝石衬底上 MOCVD 生长的 p 型 GaN 薄膜,用能量为90keV 的 Mn~+离子进行室温下的磁性离子注入掺杂,注入剂量为1×10~(15)～5×10~(16)cm~(-2)．对注入的样品在 N_2气流中经800℃下0～90s 时间不等的快速热退火处理．对样品的电、磁特性分析发现在注入剂量较低时(≤1×10~(16)cm~(-2)),样品中的强铁磁性对应着高电阻率,弱铁磁性对应着低电阻率；而在5×10~(16)cm~(-2) 的高注入剂量下则没有这样的规律．通过对退火条件的研究,发现在800℃下退火45s 的样品具有较强的铁磁性和较低的电阻率,而退火90s 的样品中铁磁性减弱, 电阻率升高,揭示出注入剂量和退火条件是在对 p 型 GaN 薄膜进行磁性离子注入掺杂过程中的两个重要控制参量．
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