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部分耗尽SOI MOSFETs中翘曲效应的温度模型(英文)

唐俊雄  唐明华  杨锋  张俊杰  周益春  郑学军  
【摘要】:提出了一种部分耗尽 SOI MOSFETs 器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成:一部分是上 MOS 的电流,另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于浮体区电势的增加。在本模型还分析了浮体电势、阈值电压与温度的变化关系。

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