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锰掺杂对PMN-PZT陶瓷介电性能的影响

郭婷  姜胜林  张海波  林汝湛  
【摘要】:研究了锰掺杂对富锆 PMN-PZT(铌镁酸铅- 锆钛酸铅)陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释.实验结果表明:适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,并能有效地降低 PMN-PZT 陶瓷材料的介电常数和介电损耗,在锰掺杂量为3.0%(原子分数)时,ε_r=197、tanδ= 0.15%,作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良好的介电性能.

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