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《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(1)》2007年
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CrSi_2能带结构和光学性质的第一性原理研究

周士芸  谢泉  闫万珺  陈茜  
【摘要】:采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT) 赝势平面波方法,对 CrSi_2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明 CrSi_2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由 Cr 的3d 层电子和 Si 的3p 层电子的能态密度决定;计算了 CrSi_2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好。

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