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GaN纳米线的制备与表征

王非  杨冬  李春华  梁建  马淑芳  刘旭光  许并社  
【摘要】:采用化学气相沉积(CVD)法,以甩涂在Si (111)衬底上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,在无催化剂条件下成功制备出GaN纳米线。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱 (EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并讨论了其生长机理。结果表明:生成的GaN纳米线平直光滑,直径在30-80nm内,长度可达几十微米,纳米线为六方纤锌矿结构的GaN晶体。

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