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《2006年全国功能材料学术年会专辑》2006年
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微波集成电路中Au/NiCr/Ta多层薄膜残余应力的研究

唐武  房永思  邓龙江  徐可为  
【摘要】:在磁控溅射的基础上,通过化学镀Au的方法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射(XRD)技术研究了不同沉积温度和退火前后薄膜中残余应力的变化。结果表明:化学镀对溅射薄膜的残余应力有一定的调节作用,沉积态的薄膜均为拉应力,大小在33和50MPa之间,在400℃、 Ar气中退火1h时后,薄膜中残余应力转变成压应力, 其平均值为-5MPa,薄膜中的残余应力随沉积温度变化不大。

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