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《2006年全国功能材料学术年会专辑》2006年
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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

吴惠桢  曹萌  劳燕锋  刘成  谢正生  曹春芳  
【摘要】:采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。

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