界面插Mn对CoFe／CrPt双层膜交换耦合的影响

【摘要】：用共溅射的方法制备CoFe／CrPt(x)、 CoFe／Mn／CrPt(x)薄膜。通过改变反铁磁层的厚度,研究影响交换偏置的因素。结果表明:界面结构、反铁磁层厚度都对交换偏置产生重要作用。在CoFe／CrPt双层膜中,反铁磁层厚度为42nm时,界面插入一层厚度为 0．55nm的Mn可得到11940A／m的交换偏置场,比插 Mn前增加了6倍。

【作者单位】：首都师范大学物理第首都师范大学物理第首都师范大学物理第首都师范大学物理第
【基金】：北京市教委科技发展计划资助项目(KM200510028004) 北京市科委科技计划资助项目(Y0404013040211)
【分类号】：TB383.2

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