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《2006年全国功能材料学术年会专辑》2006年
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界面插Mn对CoFe/CrPt双层膜交换耦合的影响

陈红燕  陈庆永  李岩  姜宏伟  
【摘要】:用共溅射的方法制备CoFe/CrPt(x)、 CoFe/Mn/CrPt(x)薄膜。通过改变反铁磁层的厚度,研究影响交换偏置的因素。结果表明:界面结构、反铁磁层厚度都对交换偏置产生重要作用。在CoFe/CrPt双层膜中,反铁磁层厚度为42nm时,界面插入一层厚度为 0.55nm的Mn可得到11940A/m的交换偏置场,比插 Mn前增加了6倍。

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