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《第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ》2004年
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退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响

季红  季勇  周萍  郑鹉  王艾玲  姜宏伟  
【摘要】:用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.xRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.

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