退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响

【摘要】：用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.xRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.

【作者单位】：首都师范大学物理系首都师范大学物理系首都师范大学物理系首都师范大学物理系首都师范大学物理系首都师范大学物理系
【分类号】：TG156

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