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《第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ》 2004年
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微米级硫化物半导体的红外发射率研究

王函  徐国跃  翁履谦  王芹  王秀华  
【摘要】:为了制备出在8~14μm红外波段具有较低红外发射率的粉体,以硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)为原料,采用了气氛固相烧结法制备了微米级的CdZnS固溶体粉体.采用XRD、BET(ASAT2010)比表面仪表征,研究了粉体的结构、粒度等特征.通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8-14μm波段的红外发射率.着重讨论了粉体的晶格畸变和8-14μm波段红外发射率之间的关系,并对此给出了一定的解释.

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