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《第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ》2004年
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氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究

肖洪地  马洪磊  薛成山  马瑾  宗福建  张希键  计峰  胡文容  
【摘要】:在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.

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