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《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》2001年
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快速扫描光荧光谱表征GaAs的技术研究

李光平  汝琼娜  李静  何秀坤  王寿寅  陈祖祥  
【摘要】:该文详细研究了快速扫描光荧光谱(PLMapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及Mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAs材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数。

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