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等离子体化学气相淀积新型低介电常数SiCOF介质薄膜

张卫  王鹏飞  张庆全  丁士进  王季陶  
【摘要】:等离子体化学气相淀积制备了新型低介电常数SiCOF介质薄膜,并通过FTIR,XPS和C—V特性测试对其结构和性能进行了研究。结果表明当C_4F_8流量为30sccm时所淀积的SiCOF薄膜介电常数仅为2.6。FTIR及XPS分析发现SiCOF薄膜中有≡CF和=CF_2结构存在,而且以≡CF结构居多,同时薄膜中还有C-C键的交联,这种交联结构的存在使SiCOF薄膜有较高的稳定性,并有利于降低薄膜介电常数。另外,SiCOF薄膜具有良好的抗吸湿性能,这可能与薄膜中含有憎水性的C-F基因有关。

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