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《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》2001年
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氧等离子体处理对低介电常数SiOF薄膜性能的影响

张卫  王鹏飞  张庆全  丁士进  王季陶  
【摘要】:研究了氧等离子体处理对低介电常数SiOF薄膜性能和结构的影响,发现氧等离子体处理改善了SiOF薄膜的抗吸湿性能。红外光谱分析表明,随着氧等离子体处理时间的增加,SiOF薄膜中Si-F吸收峰的半峰宽FWHM将减少,而振动频率V_(si-F)则增加。分析认为氧等离子体处理能降低SiOF薄膜中不稳定=SiF_2结构的浓度,使薄膜表层中的一部分F被O取代,形成了稳定的Si-O键,因而使SiOF薄膜的抗吸湿性能得到改善。

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1 闫继红;宁兆元;;低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展[J];材料导报;2005年06期
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