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《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》2001年
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蓝宝石复合衬底上生长的碳化硅薄膜的结构分析

张永华  彭军  
【摘要】:在蓝宝石衬底上预淀积一层缓冲层,在其上用APCVD法外延生长SiC薄膜。对生长的薄膜进行了四晶衍射分析和PL谱分析,结果表明以蓝宝石C面上AIN为复合衬底生长的薄膜为6H-SiC,其带隙约为3.0eV。

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