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《第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集》1998年
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碲镉汞薄膜的外延生长

王跃  宋炳文  介万奇  周尧和  
【摘要】:碲镉汞(MCT)是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪—红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜;MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面的基础。本文简单介绍了采用液相外延(LPE)技术、分子束外延(MBE)技术和有机金属化学汽相沉积(MOCVD)技术生长MCT薄膜的情况,并将三种外延生长技术及所生长的MCT薄膜进行了简单的比较,还简单介绍了国内使用三种外延生长技术生长的MCT薄膜制作器件的情况,并简要讨论了MCT薄膜中存在的结构缺陷。
【作者单位】:昆明物理研究所 西北工业大学凝固技术国家重点实验室
【分类号】:O484.1

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【参考文献】
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【共引文献】
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【同被引文献】
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