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《第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集》1998年
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碲镉汞红外焦平面芯片钝化方案可行性的研究

周咏东  方家熊  赵军  陆慧庆  汤定元  
【摘要】:Ar~+束溅射沉积技术实现了HgCdTe表面钝化介质CdTe、ZnS的低温生长。对材料的各项性能指标进行了实验分析,通过介质膜对n-HgCdTe光导器件的表面钝化以及对CdTe/HgCdTe界面电学特性的实验分析表明,CdTe+ZnS双层介质膜的各项指标已可以满足HgCdTe红外焦平面芯片的表面钝化需要。

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