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《首届中国功能材料及其应用学术会议论文集》1992年
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光电、微波功能材料——磷化铟

谭礼同  
【摘要】:正1前言化合物半导体磷化铟是继硅、砷化镓后的重要材料,由于InGaAsP/InP系材料的光电器件工作波长符合石英光纤低损耗色散窗口,另外,InGaAs材料的室温电子迁移率和最大漂移速度远大于硅和砷化镓材料,而且其禁带宽度较大,其器件是以在室温下稳定工作,因此,它们分别是制作光通信用光电器件的基础材料和制造高速电子器件的较理想的材料。
【作者单位】:中国科学院上海冶金研究所
【分类号】:TB34

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