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《中国工程物理研究院科技年报(2000)》2000年
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80C31单片机系统伽玛剂量率闭锁窗口现象

杨怀民  赵汝请  刘月珠  贾温海  余仁根  徐曦  王吉民  
【摘要】:正CMOS工艺集成电路瞬时辐照效应损伤主要是闭锁效应,这是因为CMOS电路工艺中有 PNPN四层结构,在瞬时辐照下由于内部PN结产生的瞬时光电流会使器件产生闭锁。闭锁可以分成两种类型:第一类称为强闭锁,这种闭锁能维持下去,直到切断电源方能消除闭锁的错误状态;第二类称为弱闭锁,这种闭锁的特征是不会长期维持,闭锁状态在延迟一段时间后会自行消失,电路恢复正常。
【分类号】:TP368.12

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