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《中国工程物理研究院科技年报(2000)》2000年
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钒球基准装置对D-T中子的γ泄漏谱和倍增率

陈渊  郭海萍  安力  牟云峰  王新华  赵秋雯  
【摘要】:正在已建立的厚度10.5 cm的钒球基准装置上,对于D-T中子源,用NE-213谱仪测量了0.4 -8 MeV的γ泄漏能谱,用聚乙烯球全吸收探测法测量了D-T中子倍增率。对于 60mm×60mm×7mm的块状钒样品,四块叠在一起,并紧贴在靶室的端面上,经D-T中子照射累计达到约1×1016后,研究钒样品中子激活的γ放射性衰变特征。
【分类号】:TL817

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