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《中国工程物理研究院科技年报(1999)》1999年
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运算放大器X和γ射线辐射损伤的比较

陈盘训  周开明  
【摘要】:正近十年的研究表明,X射线对半导体器件和集成电路产生剂量增强效应。为了研究运算放大器对X和γ射线辐射损伤的不同性,在RU200 X射线机和5.92Bq Co60源上进行了运算放大器X和γ射线辐射效应实验。用五种国产典型运算放大器(简称运放)F005C、 F007C、F741、F010B和F011C为实验样品,用TLD热释光剂量计实测X射线剂量,并用衍射仪测得银旋转靶产生X射线的相对能谱。X射线峰值能量为17.2keV。X射线机上实验
【分类号】:TN722.77

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