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磁控溅射La-Sr-Mn-O薄膜的可变发射率性能研究

马欣新  江少群  唐光泽  孙明仁  王刚  
【摘要】:采用直流磁控溅射在Si(100)基体与制备了La-Sr-Mn-O薄膜,溅射气体为Ar和O_2的混合气体,沉积后对薄膜进行700℃/1h空气退火。本文研究了不同工艺参数条件下制备的薄膜的结构、金属-绝缘体转变和可变发射率特性,结果表明O_2/(O_2+Ar)体积比较小时,薄膜的金属-绝缘体转变温度T(MI)高,发射率变化量((H_增大,最大的(H_可达0.35。薄膜发射率(H_(T)随温度升高而增大,并且在T_(MI)附近发生显著变化,此时薄膜由低发射率的金属态转变为高发射率的绝缘态。

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