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《第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集》2009年
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Mg_(0.4)Al_(2.4)O_4衬底上ZnO薄膜的制备和性能表征

唐慧丽  徐军  李红军  苏良碧  吴锋  
【摘要】:氧化锌是一种直接宽带隙化合物半导体,具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性和压敏性,在短波长发光、探测器,表面声波器,气敏器,显示器等领域具有广泛的应用前景,引起国内外科学界及工业界的极大关注[1-3]。由于缺少合适的衬底,ZnO外延膜通常生长在宝石衬底上。然而较大的晶格和热失配导致薄膜中存在错配应力,严重影响器件的性能。为了获得高质量ZnO薄膜,SiC,LiNbO3,LiAlO2,Si,GaAs,LiGaO2等众多晶体已经用来外延生长ZnO。

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