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《第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集》2009年
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新型水热法生长高迁移率,高质量的ZnO单晶及其物性分析

林文文  陈达贵  张继业  林璋  黄嘉魁  李伟  王永好  黄丰  
【摘要】:正ZnO材料由于其宽带隙(3.37eV),较高的激子束缚能(60meV)的特点,在短波长半导体光电器件如发光二极管(LED),激光器(LD)有着潜在的应用前景。ZnO单晶的研制将有

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