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《第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集》2009年
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Al掺杂SiC的磁性研究

王刚  宋波  刘宇  彭同华  陈小龙  
【摘要】:稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors,DMSs)同时利用电子的电荷属性和自旋属性,具有新颖而独特的性质,是自旋电子学的材料基础,已成为当前国际材料研究领域中的热点。2000年,Dietl等[1]采用Zener模型从理论上预言过渡金属(Mn)掺杂的宽带隙半导体(GaN和ZnO)在一定载流子浓度下其居里温度高于室温。随后大量的实验工作制备出了具有室温铁磁性的GaN和ZnO等稀磁半导体薄膜[2,3]。相关的理论研究也很活跃,超交换作用、载流子调节的交换作用和磁极子等被用于解释稀磁半导体铁磁性的来源。然而,外延薄膜中第二相和本征缺陷的存在,使铁磁性是稀磁半导体内禀属性的结论遭到了严重质疑。

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