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《第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集》2009年
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水热法硅酸铋晶体的结晶习性与形貌

何小玲  张昌龙  胡章贵  霍汉德  王金亮  秦世杰  左艳彬  卢福华  张海霞  
【摘要】:采用温差水热法,以玻璃态BSO做培养料,通过在矿化剂溶液中外加不同含量的SiO2合成出了具有不同形貌的硅酸铋(Bi12SiO20,简称BSO)单晶。利用接触测角仪、X射线定向仪、X射线衍射仪和化学光度法等方法,对合成的BSO晶体的形貌、结构和成分进行了研究。结果表明,SiO2的加入几乎未对BSO晶体的物相和成分造成影响,但对BSO晶体的形貌产生了很大影响。当不加SiO2时,BSO晶体呈四面体单形和三角三四面体的聚形,主要显露面为{111}和{112}面族;当外加3wt.%SiO2时,BSO晶体呈立方体单形和菱形十二面体单形的聚形,主要显露面为{100}和{110}面族。采用负离子配位多面体的观点,笔者认为BSO晶体的生长基元为[SiO4]4-基团和[BiO6]9-基团络合的阴离子基团[Bi12SiO44]n,其中n为生长基元维度。根据同离子效应解释了外加SiO2后,BSO晶体在矿化剂溶液中生长基元数目比不加SiO2的要少,并研究了不同生长条件下晶体中各族晶面显露的规律。生长基元维度越大,{100}面族生长速率越快,以致最终消失;生长基元维度越小,{111}面族生长速率快于{100}面族和{110}面族,从而易于显露{100}和{110}面族。
【作者单位】:桂林矿产地质研究院 中国科学院理化技术研究所
【分类号】:O741.4

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