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《中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集》2003年
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宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用

汤洪高  
【摘要】:正SiC是当今国内外科技信息领域研究最广泛的第三代半导体核心材料之一,它具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔。本文就SiC材料的研究进展以及应用,从体单晶生长、薄膜生长、器件研发以及应用等方面进行综述,并对该领
【作者单位】:中国科技大学
【分类号】:TN304

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