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GaN晶体的常压生长研究

王文军  陈小龙  宋有庭  袁文霞  曹永革  吴星  
【摘要】:正GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料,它可用于制作短波长光学器件和大功率电子器件,因而受到了极大的关注。然而,由于GaN的熔点很高且熔化时的分解压很大,因此,GaN单晶很难用Czochralski方法或Bridgman方法从同成分熔体中生长出来。近来,Porowski及其合作者利用高压溶液法获得了尺寸超过10mm的GaN晶体,然而,这种方法需要很高的温度(1400~1700℃)和很大的氮气压(150~2000MPa);我们利用计算相图方法,对Li-Ga-N三元体系的热力学性质

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