助熔剂法GaN体单晶的生长
【摘要】:正六方GaN是一种宽带隙半导体材料,可用于制作蓝光发射二极管(LED)及蓝光激光二极管(LD),而蓝光LED及LD的性能很大程度上取决于GaN外延单晶膜的质量。GaN体单晶被认为是外延GaN单晶薄膜最好的衬底材料,因此GaN体单晶生长的研究意义十分重大。但GaN在熔点温度下的分解压力高达4500MPa,致使很难用普通的提拉法或坩埚下降法生长。以Li_3N和Ga为原料,在800℃,1×10~5~2×10~5Pa大气压下成功地生长出了线度1~4mm无色透明的六方GaN片晶,研
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