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《中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集》 2003年
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大尺寸优质SiC晶体生长及其应用进展

蒋民华  
【摘要】:正综述了近几年国内外大尺寸SiC单晶及器件应用的研究进展。介绍了SiC半导体材料的物理特性和用其制备的半导体特种功能器件,着重介绍了大尺寸SiC单晶的研究进展。虽然SiC单晶有多达200种的类型,但是目前常用(易于制备)的类型仍然只有少数,其中最常见的是6H-SiC,4H-SiC和3C-SiC。由于它们的物理特性不同而导致其有不同的用途。6H-SiC单晶是最普遍应用的类型之一,主要作为GaN材料的衬底,被广泛用于蓝绿光超高亮度发光二极管的制备;4H-SiC和3C-SiC

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