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《中国核科学技术进展报告(第二卷)——中国核学会2011年学术年会论文集第7册(核电子学与核探测技术分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、核聚变与等离子体物理分卷)》2011年
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Au、U薄膜的PLD沉积技术研究

周萍  吕学超  张永彬  赖新春  郎定木  李宗亮  蒋春丽  
【摘要】:采用脉冲激光溅射沉积的方法,在Si表面沉积了金和贫铀薄膜。通过SEM和白光干涉分析结果表明,PLD沉积法能够制备出粗糙度小于1 nm、表面光滑、致密、厚度一致性较好的Au、U薄膜。PLD的关键在于减少薄膜表面液滴,这可通过增大靶基距并减小激光能量实现。同时,适当升高基片温度亦有利于减少液滴,但会增加U薄膜中的氧含量。
【作者单位】:表面物理与化学重点实验室
【基金】:惯约课题GFZX0204020101
【分类号】:O484.1

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【参考文献】
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