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《中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第7册)》2009年
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不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

陈睿  陆妩  任迪远  郑玉展  王义元  费武雄  李茂顺  兰博  
【摘要】:文中对10位CMOS ADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重。文中对其损伤机理进行了初步的探讨。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前5条
1 王义元;陆妩;任迪远;郑玉展;高博;李鹏伟;于跃;;12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应[J];核技术;2008年09期
2 郭旗,任迪远,范隆,陆妩,余学锋,严荣良;模数转换器的~(60)Coγ射线和电子辐照效应[J];核技术;1997年01期
3 陆妩,郭旗,余学锋,张国强,任迪远,严荣良;CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性[J];核技术;1997年12期
4 张华林,陆妩,任迪远,崔帅;不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响[J];微电子学;2004年06期
5 何玉娟;恩云飞;师谦;罗宏伟;章晓文;李斌;刘远;;偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响[J];微电子学;2008年02期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前5条
1 任迪远,陆妩,郭旗,余学锋,严荣良,胡浴红,王明刚,赵元富;不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应[J];半导体学报;2000年09期
2 任迪远,陆妩,郭旗,余学锋,王明刚,胡浴红,赵文魁;CMOS运算放大器的辐照和退火行为[J];半导体学报;2004年06期
3 尹雪梅;李斌;师谦;;双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应[J];电子质量;2007年11期
4 吴雪;陆妩;王义元;胥佳灵;张乐情;卢健;于新;张兴尧;胡天乐;;Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter[J];Journal of Semiconductors;2013年01期
5 高博;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;宋李梅;;功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究[J];微电子学;2013年01期
中国重要会议论文全文数据库 前4条
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2 陆妩;任迪远;郭旗;余学峰;艾尔肯;;JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年
3 于跃;郭旗;任迪远;李鹏伟;;静态随机存储器抗总剂量辐射性能筛选在线测试系统[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
4 陈睿;陆妩;任迪远;郑玉展;王义元;费武雄;李茂顺;兰博;崔江维;;10位双极模数转换器的电离辐射效应[A];第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集[C];2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前4条
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2 袁国火;FPGA微电路电离总剂量辐射效应及加固技术研究[D];西华大学;2006年
3 康静;DC-DC二次电源辐射特性研究[D];西安电子科技大学;2009年
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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2 陆妩,任迪远,郭旗,余学峰,艾尔肯;运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应[J];半导体学报;2005年07期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 邓智;刘以农;邓晓;郑晓翠;张岚;;用于阵列探测器读出的16通道前端ASIC[J];核电子学与探测技术;2008年05期
2 郭旗,任迪远,范隆,陆妩,余学锋,严荣良;模数转换器的~(60)Coγ射线和电子辐照效应[J];核技术;1997年01期
3 胡华旦;王耀荣;;材料蠕变试验巡回检测装置[J];核科学与工程;1982年04期
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3 陈睿;陆妩;任迪远;郑玉展;王义元;费武雄;李茂顺;兰博;崔江维;;10位双极模数转换器的电离辐射效应[A];第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集[C];2010年
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10 邹保山;;防氚渗透材料的氚渗透率与辐射稳定性分析[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
中国硕士学位论文全文数据库 前7条
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5 李继红;核爆探测系统研究[D];中国科学院西安光学精密机械研究所;2001年
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