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《2005年全国计算材料、模拟与图像分析学术会议论文集》2005年
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{011}<uvw>取向银基带的再结晶织构研究

刘丹敏  刘星  吉元  周美玲  
【摘要】:正由于Ag不与超导氧化物发生反应,在Ag基带上可以直接沉积YBa2Cu3O7 δ超导薄膜而小需过渡层。研究表明{011}uvw取向的Ag基带有利于外延生长具有c取向及面内取向的 YBa2Cu3O7-δ超导薄膜,进而使超导膜具有高的临界电流值。目前国内外已能够制备{011}uvw 取向的Ag基带,但其织构强度和集中度还不够高,致使在其上沉积的超导薄膜质量不够好。因此探索Ag中{011}uvw取向的形成机理,对进一步提高{011}uvw织构的强度和集中度非常重要。

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