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IGBT串联中RCD门极有源均压参数选择

宁大龙  同向前  
【摘要】:针对在IGBT串联组件内器件集射极分压不均衡问题,本文研究了一种RCD门极有源均压方法,分析了该方法的均压原理,借助所建立的工作过程等效电路明晰了各个均压元件作用,并提出了均压参数设计方法。建立了IGBT串联均压实验系统,结果表明,该均压方法在门极驱动信号同步或延时情况下均具有较好的均压效果,验证了所提出的均压参数设计方法的正确性。

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