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《中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会论文选》2006年
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ESD保护器件GGNMOS的理论建模

刘瑶  姚若河  罗宏伟  李永坤  
【摘要】:本文完整地提出了ESD应力下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型;且进一步探讨了二次击穿附近的建模(包括几种击穿点温度的确定方法和电热耦合模拟),展望了关于二次击穿附近建模的研究方向.

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