| 1 |
马仲发,庄奕琪,杜磊,花永鲜,吴勇;一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法[J];半导体学报;2002年11期 |
| 2 |
李宏建,刘尚合,武占成;空气击穿过程对人体静电放电的影响[J];河北师范大学学报(自然科学版);1998年04期 |
| 3 |
刘文安,罗来华,赵文魁,沈文正;TFSOI/CMOS ESD研究[J];微电子学与计算机;2000年06期 |
| 4 |
张持健;陆同兴;;集成电路静电放电(ESD)的保护及预防[J];电工技术;1998年08期 |
| 5 |
陈克明;用测量正偏二次击穿参数筛选大功率器件[J];江苏电器;2001年01期 |
| 6 |
姜玉稀;陆嘉;冉峰;杨殿雄;;0.6um工艺NMOS ESD保护电路版图优化[J];微计算机信息;2008年32期 |
| 7 |
李冰;王刚;杨袁渊;;基于SCR的ESD保护电路防闩锁设计[J];微电子学;2009年06期 |
| 8 |
蒋济昌;功率管正偏二次击穿筛选的注意事项[J];电子质量;1994年02期 |
| 9 |
杨威;GTR运行故障机理分析及相应对策[J];昆明理工大学学报;1996年01期 |
| 10 |
陈克明;用正偏二次击穿测量法验证大功率器件的可靠性[J];半导体技术;1999年05期 |
| 11 |
王继春，卞岩，谢嘉慧，李学信，程尧海;提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路[J];半导体技术;1994年01期 |
| 12 |
于宗光;;适用于模拟及模数混合IC的ESD保护结构[J];电子与封装;2002年01期 |
| 13 |
文毅;胡云峰;;工艺及工艺参数对器件电路ESD的影响[J];科教文汇(下旬刊);2010年05期 |
| 14 |
余稳,蔡新华;硅二极管I-V特性及二次击穿计算[J];常德师范学院学报(自然科学版);2000年03期 |
| 15 |
崔强;韩雁;董树荣;刘俊杰;斯瑞珺;;MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模[J];传感技术学报;2008年02期 |
| 16 |
来萍,刘发;探索用端口Ⅰ-Ⅴ特性对CMOS电路的静电放电(ESD)潜在损伤进行分析诊断[J];电子产品可靠性与环境试验;1999年06期 |
| 17 |
陈克明;;功率晶体管的二次击穿及其防范[J];实用无线电;1999年01期 |
| 18 |
卜云平,成斌;静电及其对电子产品的危害[J];电子仪器仪表用户;2000年01期 |
| 19 |
邱国良,李瑞伟,曾莹;一种ESD保护结构的集总参数模拟方法[J];微电子学;2003年06期 |
| 20 |
陆坚;IC静电放电的测试[J];电子与封装;2004年01期 |
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