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半导体Si上电沉积Cu-Co金属颗粒膜及其巨磁电阻效应

姚素薇  吴海霞  王宏智  
【摘要】:采用电化学沉积方法在半导体Si片上制备了Cu-Co金属颗粒膜。XRD得出制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火后样品的巨磁电阻值得到了提高,在退火后样品的XRD谱图中观察到了析出的纯金属Co的衍射峰,这表明薄膜中发生了相分离。当样品组成为Co20Cu80时,450℃退火后得到最大巨磁电阻值为8.21%.

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