1 |
许志祥;电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响[J];核技术;1991年04期 |
2 |
杭德生;高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究[J];电力电子技术;1995年01期 |
3 |
张国生,莫长涛,李钢;电子辐照减小平板型晶闸管的关断时间[J];信息技术;1996年01期 |
4 |
;电子辐照在功率晶闸管上应用技术通过鉴定[J];核技术;1982年04期 |
5 |
林茂清;利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究[J];四川大学学报(自然科学版);1996年04期 |
6 |
宁众;;苏联在进行用电子辐照磷化铟的试验[J];微纳电子技术;1990年03期 |
7 |
陆用义,赖启基,蒋永兴,朱以漳,王厚稳;高能电子对塑封二极管辐照的研究与应用[J];核技术;1994年08期 |
8 |
何捷,林理彬,王鹏,卢勇,邹萍;MgAl_2O_4透明陶瓷电子辐照及退火效应[J];微电子学;2001年04期 |
9 |
吴正云,吴荣华,陈朝,刘士毅,闵惠芳,钟金权,王振英,王加宽;1-MeV电子辐照对Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质面太阳电池性能的影响[J];量子电子学报;1995年02期 |
10 |
周必忠,陈世帛,蔡跃强,徐宁,黄景昭;电子辐照GaP(N)光电性质及缺陷中心[J];厦门大学学报(自然科学版);1985年03期 |
11 |
崔学妤;;电子辐照改善硅功率器件性能的研究[J];哈尔滨师范大学自然科学学报;1985年02期 |
12 |
顾书林,何宇亮,王志超;非晶碳膜电子辐照性质的研究[J];半导体学报;1993年03期 |
13 |
尚也淳,张义门,张玉明;电子辐照下的SiC少子寿命退化模型[J];半导体学报;2000年02期 |
14 |
胡雨生,汪乐,陈正秀;电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究[J];半导体学报;1990年12期 |
15 |
钟雨乐,刘伟平,黄君凯;电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫[J];半导体技术;2001年02期 |
16 |
郑继义,常保延,柴天恩;电子辐照技术在高压大功率开关晶体管制造工艺中的应用[J];半导体技术;1986年02期 |
17 |
戴培英,董友梅,司怀吉!郑州450002;电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性[J];电力电子技术;2001年01期 |
18 |
张秀淼;贺国根;鲁虔;;高能电子辐照与开关晶体管[J];科技通报;1986年02期 |
19 |
莫长涛,李钢;电子辐照快速恢复二极管[J];半导体技术;1997年05期 |
20 |
黄杨程,乔辉,贾嘉,李向阳,龚海梅;1 MeV电子辐照对短波Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的影响[J];强激光与粒子束;2005年01期 |