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《2001年全国电子电镀年会论文集》 2001年
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p-Si上电沉积Ni-Mo合金及其光电催化析氢性能

赵转清  张卫国  姚素薇  龚正烈  
【摘要】:在半导体P型Si上电沉积纳米晶和非晶Ni-Mo合金,制备了Ni-Mo合金修饰的半导体P型Si电极(记为Ni-Mo/p-Si)。通过比较两种电极的阴极催化析氢曲线,发现纳米晶Ni-Mo/p-Si电极的催化析氢性能最佳,并用SEM进行了表征。同时测试了光照下纳米晶Ni-Mo/p-Si电极的催化析氢曲线,结果表明,Ni-Mo颗粒尺寸在40~100nm时,光照下电极的析氢过电位减小了约160mV(电流密度为8mA·cm~2时),催化析氢性能提高。

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