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《新世纪 新机遇 新挑战——知识创新和高新技术产业发展(上册)》2001年
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Zn离子注入SiO_2薄膜后退火形成球型ZnO纳米粒子的结构和紫外发光

刘益春  刘玉学  吕友明  张吉英  申德振  钟国柱  范希武  孔祥  
【摘要】:正氧化锌是具有六方结构的宽带隙(室温为3.3 eV)半导体材料,激子束缚能高达60 meV,因而在室温下可得到自由激子的发射,ZnO材料是继GaN宽带隙半导体材料之后又一研究热点。
【作者单位】:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【分类号】:TB383.1

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