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《面向21世纪的科技进步与社会经济发展(下册)》1999年
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大直径硅片的表面质量及缺陷控制

屠海令  
【摘要】:正随着大规模集成电路密度遵循"摩尔定律"不断提高,设计线宽急剧减小。向深亚微米级(0.5μm)集成电路发展,对硅片表面质量和缺陷密度的要求越来越高,可以预计,硅单晶和硅基材料的均匀性、完整性、材料特性与器件
【作者单位】:北京有色金属研究总院
【分类号】:TN304.12

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