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《第11届全国发光学学术会议论文摘要集》2007年
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亚单层InGaAs/GaAs量子点异质结和激光器

徐章程  张雅婷  J M Hvam  
【摘要】:关于纳米材料与器件的研究受到人们的广泛关注。纳米点是指粒径在1~100 nm 之间的小颗粒。用带隙较宽的半导体材料将带隙较窄的纳米点包裹起来,而且纳米点的尺寸与相应的体材料中电子的德布罗意波长相比拟时,纳米点变成量子点。半导体量子点具有 Delta 函数状的能态密度,其响应波长可以通过控制量子点的成分和尺寸来调节,因此量子点可以用于制备新奇的光电器件,如量子点激光器等。分子束外延和或金属有机化学气相外延技术是制备半导体量子点异质结的两种重要手段。利用 Stranski-Krastanow(SK)生长模式以及亚单层(Submonolayer,SML)沉积方法,可以制备高质量的量子点材料。这里,我们主要介绍 SML 量子点的分子束外延的生长、结构、光学性质以及激光器应用.

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