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《第八届(2012年)北京核学会核应用技术学术交流会论文集》2012年
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Geant4在中子辐射效应中的应用

金晓明  王园明  杨善潮  马强  刘岩  林东生  陈伟  
【摘要】:中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离kerma因子的模拟结果定量解释了中子辐照在CMOS工艺单片机中引起的电离增强效应。通过原子空位密度计算了中子引入的附加陷阱密度,分析了位移损伤对电离效应的增强作用。实验和模拟结果表明,中子的电离能量沉积加剧了CMOS工艺单片机的退化。
【作者单位】:西北核技术研究所
【分类号】:TN303

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