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《第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集》2010年
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具有全方位反射镜的高亮度AlGaInP发光二极管

黄尊祥  杨凯  李涛  彭绍文  刘建鋆  王向武  
【摘要】:一种新的全方位反射镜(ODR)的高亮度AlGaInP发光二极管制作方法。该反射镜由介质膜DBR和高反射率的金属组成,反射效率比传统的金属反射镜和DBR高,制作成本比透明基板低。首先利用MOCVD在GaAs衬底上生长AlGaInP LED材料,接着将全方位反射镜蒸镀在LED外延片上,利用金属键合将LED外延片和Si基板键合在一起,然后用机械研磨和湿法腐蚀的方式去除吸光的GaAs衬底,最后制作欧姆接触焊盘和出光界面的粗化。该方法制作的峰值波长为630 nm芯片(350μm×350μm)20 mA电流下发光效率达80 lm/W,正向电压小于2 V。
【作者单位】:厦门乾照光电股份有限公司技术中心
【分类号】:TN312.8

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