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《第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集》2010年
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Si衬底GaN电镀金属基板LED芯片性能研究

王光绪  熊传兵  汪延明  肖宗湖  张萌  江风益  
【摘要】:通过电镀的方法将Si衬底GaN LED薄膜分别转移至铜铬、铜镍基板上,并制备成不同电镀基板的LED芯片。研究发现,铜镍基板LED芯片较铜铬基板droop效应得到改善,说明铜镍基板LED芯片具有更好的散热性能;高分辨XRD结果显示铜铬基板LED薄膜受残余张应力作用,而铜镍基板LED薄膜则受压应力作用,表明在LED工作状态下铜镍基板LED芯片具有更优良的力学性能;铜镍基板LED芯片的波长漂移较铜铬基板更小,且经过900 mA常温老化192 h后,芯片电学性能稳定。结果表明,铜镍基板LED芯片较铜铬基板具有更优良的力、热、光、电特性。

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