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《第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集》2010年
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高质量GaN自支撑层的制备研究进展

崔林  张化宇  汪桂根  
【摘要】:介绍了GaN材料具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大、介电常数小、化学性质稳定和机械性能好等特点,使其在从蓝绿到紫外波段的LED器件,紫外探测器,外空间和海底通讯,电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域有着广泛的应用前景。总结了GaN体单晶制备技术和三种主要外延生长技术(MOCVD、MBE、HVPE)及外延生长存在的问题。氢化物气相外延(HVPE)具有设备简单、成本低、生长速度快等优点是制备高质量氮化镓(GaN)自支撑层最有希望的方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备GaN自支撑(freestanding)层的方法,综述了高质量GaN自支撑层制备国内外研究进展,并指出今后研究方向。
【作者单位】:哈尔滨工业大学深圳研究生院
【分类号】:TN304.054

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