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《2010’全国半导体器件技术研讨会论文集》2010年
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深结n~+/n~-型Si衬底扩散技术

毛建军  王铮  任亮  朱志远  陈福元  
【摘要】:自20世纪60年代Si功率晶体管问世以来,供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的n~-/n~+,p~-/p~+,n~-/p~+型Si重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到蓬勃发展。尤其是有关Si中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在Si扩散结区的浓度优化分布、半导体扩散工艺技术革新、Si衬底扩散片的结构优化和市场开拓等工作,为半个世纪以来功率晶体管及电力电子器件的大量涌现和推广应用奠定了坚实基础。简述了重掺杂Si衬底片的发展史,并对与重掺杂Si衬底扩散技术有关的专利技术作以介绍。
【作者单位】:杭州杭鑫电子工业有限公司
【分类号】:TN305.4

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