ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

【摘要】：采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。