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《第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集》2008年
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MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究

朱光耀  顾书林  朱顺明  
【摘要】:采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式。研究发现,高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度地激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。

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