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射频磁控溅射制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜

邬小鹏  孙利杰  钟泽  徐小秋  林碧霞  傅竹西  
【摘要】:采用射频磁控溅射用x=0.00~0.45的Mg_xZn_(1-x)O陶瓷靶在Si(100)和石英衬底上生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用Mg_xZn_(1-x)O薄膜在x≤0.325时具有单一(002)取向的六方结构,其禁带宽度E_g随x增加而增加,薄膜表面在入射光能量大于禁带宽度时有光电响应,并且在x=0.325时得到了禁带宽度在4.9 eV的Mg_xZn_(1-x)O薄膜。在x0.325时出现立方相结构,禁带宽度有所减少,说明此时已为混相薄膜。

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